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Transistor de silicio NPN tipo epitaxial (proceso PCT) Fabricante Toshiba N.° Parte Fabricante 2SC3709A N.° Parte Dbu D13003 Encapsulado TO-220F RoHs Sí Datasheet 2SC3709AY
Transistor PNP 600mA 150V 625mW, configuración de pines (EBC) Fabricante ST N.° Parte Fabricante 2N5401 N.° Parte Dbu D102102 Encapsulado TO-92 RoHs Sí Datasheet 2N5401.pdf
Transistor NPN 100mA 50V 450mW,, 270Mhz, configuración de pines (EBC) Fabricante JCST N.° Parte Fabricante S9014 N.° Parte Dbu D102114 Encapsulado TO-92 RoHs Sí Datasheet
Transistor NPN 200mA 40V, configuración de pines (EBC) Fabricante - N.° Parte Fabricante 2N3904 N.° Parte Dbu D102115 Encapsulado TO-92 RoHs Sí Datasheet
Transistor NPN 600mA 40V, configuración de pines (CBE) Fabricante - N.° Parte Fabricante 2N2222 N.° Parte Dbu D102116 Encapsulado TO-92 RoHs Sí Datasheet
Transistor PNP 500mA 25V, configuración de pines (EBC) Fabricante - N.° Parte Fabricante S8550 N.° Parte Dbu D102117 Encapsulado TO-92 RoHs Sí Datasheet
Transistor NPN 600mA 40V, configuración de pines (EBC) Fabricante - N.° Parte Fabricante 2N2222 N.° Parte Dbu D102118 Encapsulado TO-92 RoHs Sí Datasheet
