Registro
CONSULTAS
DISCRETOS
Transistor Mosfet canal N
Transistor mosfet canal N, 5.8A 30V 1.4W, (EERC)
|
Fabricante |
Microne |
|
N.° Parte Fabricante |
MEM2310XG |
|
N.° Parte Dbu |
D133109 |
|
Encapsulado |
SOT-23-3 |
|
RoHs |
|
|
Datasheet |
Sí
MÉTODO DE PAGO PARA COMPRAS EN LÍNEA: TARJETA DE CRÉDITO, DÉBITO O SINPE MOVIL
Para pagos con PayPal por favor cambie la divisa a Dólares en la pestaña Mi Cuenta
ENVÍOS A TODO EL PAÍS
Costo del envío: 3 mil colones
El MEM2310XG es un transistor de efecto de campo de canal N, producido con tecnología DMOS de alta densidad celular, que se utiliza especialmente para minimizar la resistencia en estado. Este dispositivo se adapta particularmente a aplicaciones de bajo voltaje y baja disipación de energía.
Especificaciones generales
| Atributo | Valor (Max) |
| Tipo de transistor |
Mosfet |
| Voltaje drenador-fuente (Vdss) |
30V |
| Corriente constante drenador (Id) |
5.8A |
| Tipo de FET |
Canal N |
| Disipación de potencia (Watt) |
1.4W (T=25°C) |
| Rds On (Máx) @ Id, Vgs | 25mΩ @ 5.8A,10V |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Aplicaciones |
Propósito general |
Mostrar productos similares
D133109
29 Artículos
Ficha técnica
- Montaje
- SMD
- Fabricante
- Microne
- Tipo de transistor
- Mosfet
- Corriente (CC) drenador (Id)
- 5.8A
- Tipo de canal
- N
- Voltaje (VCEO) para BJT
- 30V
Transistor mosfet canal N, 5.8A 30V 1.4W, (EERC)
|
Fabricante |
Microne |
|
N.° Parte Fabricante |
MEM2310XG |
|
N.° Parte Dbu |
D133109 |
|
Encapsulado |
SOT-23-3 |
|
RoHs |
|
|
Datasheet |