Mosfet Canal P 11A 200V
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Transistor PNP 1A 100V 900mW
Transistor PNP 1A 100V 900mW, configuración de pines (BCE)
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Fabricante |
Foshan Blue Rocket Elec |
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N.° Parte Fabricante |
2SB647A-C |
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N.° Parte Dbu |
D102107 |
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Encapsulado |
TO-92 |
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RoHs |
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Datasheet |
Sí
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Especificaciones generales
| Atributo | Valor de atributo |
| Tipo de transistor |
BJT |
| Voltaje Colector emisor (Vceo) |
100V |
| Corriente constante Colector (Id) |
1A |
| Ganancia (hFE) |
30 |
| Disipación de potencia (Watt) |
900mW (T=25°C) |
| Polaridad del transistor | PNP |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Aplicaciones |
Propósito general |
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D102107
3 Artículos
Ficha técnica
- Montaje
- Through Hole
- Tipo de transistor
- BJT
- Voltaje (VCEO) para BJT
- 100V
- Corriente Colector
- 1A
- Polaridad del transistor
- PNP
Transistor PNP 1A 100V 900mW, configuración de pines (BCE)
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Fabricante |
Foshan Blue Rocket Elec |
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N.° Parte Fabricante |
2SB647A-C |
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N.° Parte Dbu |
D102107 |
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Encapsulado |
TO-92 |
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RoHs |
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Datasheet |