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Transistor SMD BJT NPN
Transistor bipolar NPN, 40V, 300MHz, 225mW, 600 mA, 300hFE
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Fabricante |
On Semiconductor |
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N.° Parte Fabricante |
MMBT2222ALT1G |
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N.° Parte Dbu |
D1333101 |
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Encapsulado |
SOT-23-3 |
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RoHs |
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Datasheet |
Sí
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Especificaciones generales
| Atributo | Valor (Max) |
| Tipo de transistor |
BJT, bipolar transistor |
| Voltaje Colector emisor (Vceo) |
40V |
| Corriente constante Colector (Id) |
600mA |
| Ganancia (hFE) |
300 |
| Disipación de potencia (Watt) |
225mW (T=25°C) |
| Polaridad del transistor | NPN |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C a 150°C |
| Aplicaciones |
Propósito general |
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D1333101
50 Artículos
Ficha técnica
- Montaje
- SMD
- Fabricante
- ON Semiconductor
- Tipo de transistor
- BJT
- Voltaje (VCEO) para BJT
- 40V
- Corriente Colector
- 600mA
- Polaridad del transistor
- NPN
Transistor bipolar NPN, 40V, 300MHz, 225mW, 600 mA, 300hFE
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Fabricante |
On Semiconductor |
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N.° Parte Fabricante |
MMBT2222ALT1G |
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N.° Parte Dbu |
D1333101 |
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Encapsulado |
SOT-23-3 |
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RoHs |
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Datasheet |