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MMBT2907ALT1G, BJT PNP
Transistor bipolar PNP, 60V, 200MHz, 300mW, 600mA, 300 hFE
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Fabricante |
On Semiconductor |
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N.° Parte Fabricante |
MMBT2907ALT1G |
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N.° Parte Dbu |
D1333102 |
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Encapsulado |
SOT-23 |
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RoHs |
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Datasheet |
Sí
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Prefijo S para aplicaciones automotrices y otras que requieren requisitos de cambio de sitio y control únicos; AEC − Q101 calificado y compatible con PPAP.
Especificaciones generales
| Atributo | Valor (Max) |
| Tipo de transistor |
BJT, bipolar transistor |
| Voltaje Colector emisor (Vceo) |
60V |
| Corriente constante Colector (Id) |
600mA |
| Ganancia (hFE) |
300 |
| Disipación de potencia (Watt) |
300mW (T=25°C) |
| Polaridad del transistor | PNP |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C a 150°C |
| Aplicaciones |
Propósito general |
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D1333102
100 Artículos
Ficha técnica
- Montaje
- SMD
- Fabricante
- ON Semiconductor
- Tipo de transistor
- BJT
- Voltaje (VCEO) para BJT
- 60V
- Corriente Colector
- 600mA
- Polaridad del transistor
- PNP
Transistor bipolar PNP, 60V, 200MHz, 300mW, 600mA, 300 hFE
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Fabricante |
On Semiconductor |
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N.° Parte Fabricante |
MMBT2907ALT1G |
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N.° Parte Dbu |
D1333102 |
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Encapsulado |
SOT-23 |
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RoHs |
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Datasheet |